半导体巨头英飞凌重金押注！氮化镓将来市场局限望超千亿 财富链受益上市公司梳理

　　欧洲芯片制造商英飞凌近期官宣以8.3亿美元现金(57亿人民币)收购氮化镓全球技能率领者GaN Systems，并斥资20亿欧元扩大其位于马来西亚居林和奥地利菲拉赫工场的氮化镓和碳化硅芯片的产能。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特暗示，英飞凌出格看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。

　　GaN是第三代半导体质料的典范代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射本领强等优势，国度“十四五”研发打算明晰将大力大举支持第三代半导体财富的成长。国联证券阐明，英飞凌收购GaN Systems一方面浮现了GaN在汽车、数据中心、家产等应用规模的将来成长前景，另一方面也预示着财富链竞争或将进入整合阶段。

　　氮化镓今朝与新能源汽车、光伏、5G、消费快充等下游规模深度绑定。2017年-2021年，氮化镓市场局限从78.7亿元提高至358.3亿元，年复合增长率40.1%。头豹研究院指出，跟着氮化镓在新能源汽车应用渗透率晋升，抖客教程网，及在垃圾处理惩罚规模等应用的拓展，估量到2026年氮化镓市场局限将增长至1029.7亿元，年复合增长率27.7%。

　　氮化镓财富链上游为衬底和外延，中游为器件制造商。碳化硅衬底 氮化镓外延层可制成射频器件，碳化硅基氮化镓射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用规模；硅衬底 氮化镓外延层可制成功率器件，硅基氮化镓功率器件可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等规模实现快速渗透；蓝宝石/氮化镓衬底 氮化镓外延层可制成光电器件，氮化镓光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明规模应用优势突出。

　　衬底质料中，碳化硅衬底与氮化镓器件匹配度高、机能好、且本钱相对较低，受到遍及应用。全球碳化硅衬底市场会合度高，美国企业CREE和II-VI团体占据约60%的市场份额，天岳先进、天科合达等中国本土企业合计市占率仅10%阁下。外延片质料方面，苏州晶湛、聚能晶源、聚灿光电是中国出产制造氮化镓外延片的代表企业。

　　氮化镓器件制造方面，IDM模式的代表厂商有三安光电、英诺赛科、士兰微电子、苏州能讯、江苏能华、大连芯冠科技等公司，Fabless厂商主要有华为海思、安谱隆等，同时海威华芯和三安集成可提供GaN 器件代工处事(Foundry模式)。

　　业内人士指出，氮化镓功率器件技能在快充规模最为成熟，在数据中心、家产规模也已经慢慢开始利用，技能相比拟力成熟。按照天风证券的测算，若全球回收硅芯片器件的数据中心都进级为氮化镓功率芯片器件，将淘汰30%-40%的能源挥霍。

　　氮化镓器件用于新能源汽车的车载充电器、DC-DC转换器等规模时，可在节能70%的同时使充电效率到达98%，增加5%续航，今朝已有丰田、宝马等多家汽车厂商入局氮化镓规模。据Yole预测，车用GaN将从2021年的530万美元增长到2027年的3.09亿美元，CAGR高达97%。

　　上市公司方面，除了上述的天岳先进、聚灿光电、三安光电、士兰微外，另据财联社梳理，富满微、金溢科技、利亚德、北方华创、扬杰科技、赛微电子、华灿光电、新洁能、天箭科技、易事特、台基股份、兆驰股份也在氮化镓规模有相关业务机关，详细环境如下：